某型特种车倒车影像控制器电磁兼容分析及优化措施

本文针对某特种车倒车影像控制器设备在CE102和RE102测试项中的测试结果超标问题,结合测试结果,分析了测试结果超标的原因以及设备电磁兼容设计的关键点;然后结合电磁兼容设计原则,改进了电磁干扰的抑制方法,对辐射源和抗干扰能力薄弱处加强了滤波和屏蔽,对壳体加强了接地处理;最后进行测试验证,结果表明,改进后的方法可有效解决CE102和RE102测试结果超标问题。本文所用方法容易实施且具有通用性,可为类似军用电子设备的电磁兼容设计提供参考。     

基于SPI模式的SD卡驱动的分析与设计

SD卡作为媒体存储设备应用广泛,但很多SoC并未设计SDIO接口,故这种SoC只能通过SPI与SD卡通信,不能直接使用linux内核提供的现有的sD卡驱动。Bitbang协议是一种GPIO模拟SPI接口与sD卡通信的协议。Platform_driver是2．6版本内核以后新提出的驱动结构,有着规范和高效的特点。针对这种情况,采用了Bitbang协议和Platform架构,提出了一种基于SPI模式的sD卡驱动的解决方案。对Bitbang协议和Platform_driver结构的原理和实现方法进行了较为详细的论述,对驱动进行了测试,并最终给出了测试结果。     

亚微米门阵列ASIC中地弹噪声降低技术

由封装电感引起的地弹效应对亚微米门阵列ASIC电路的影响，对门阵列母片的结构和应用情况进行了分析，在逻辑设计、库单元设计、库单元结构、门阵列结构等方面提出了多种改进方法来抑制地弹噪声，并将这些改时方法应用在乘法器电路的改版设计中．取得了非常好的效果     

熔丝类电路的修调探索

随着熔丝在电路设计中的应用普及,测试环节对熔丝修调的要求也越来越高,对测试人员提出了更大挑战。修调熔丝的目的是为了获得更精确的电压或者频率,按照制造材料和工艺可分为金属和多晶硅两种类型。不同的工艺结构决定了不同电路的熔丝有不同的特性,修调时需要针对具体电路具体分析,选择适宜的修调方案,并且编写简洁高效的修调程序。文章介绍了常见熔丝的特性,总结几种常用的修调熔丝方法,并分析了这些方法的各自特点,同时对修调熔丝的程序算法做了探讨。     

深亚微米集成电路静态功耗的优化

随着工艺的发展,器件阈值电压的降低,导致静态功耗呈指数形式增长。进入深亚微米工艺后,静态功耗开始和动态功耗相抗衡,已成为低功耗设计一个不可忽视的因素。针对近年来提出的各种降低静态功耗的设计方法,本文进行了总结。对源极反偏法、双阈值法、变阈值法、多阈值法的原理和应用进行了分析和说明,并通过对各种方法的优缺点进行比较,旨在为集成电路设计人员提供减小静态功耗方面的设计思路和努力方向。     

1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究

提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43.8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中.     

一种基于迷宫算法的有效FPGA布线方法

在本篇论文中,我们介绍了在标准对称阵列（隔离岛状）现场可编程逻辑阵列结构下的一种基于迷宫布线算法的新型有效布线方法,Pathfinder.实验结果显示,相比普通的迷宫布线法,Pathfinder算法在布线时间上减少了90%.     

SrHfO3 as gate dielectric for future CMOS technology

Thin epitaxial films of the high-κ perovskite SrHfO₃ were grown by molecular beam epitaxy on Si(100) and investigated by ellipsometry and X-ray photoelectron spectroscopy to determine its band gap and valence band offset. Conducting AFM shows a good correlation between topography and current mapping, pointing to direct tunneling conduction. Long channels MOSFETs with low equivalent oxide thickness (EOT) were fabricated and their channel mobility measured. Mobility enhancement can be achieved by post processing annealing in various gases but at the cost of interfacial regrowth. An alternative approach is to increase mobility without changing EOT is by electrically stressing the gate dielectric at ∼150 °C.     

基于8051核的数字电路系统验证技术

SoC设计的重要特征是IP集成,但是不同IP模块的集成给SoC验证工作带来大量的问题.文中基于8051核的总线构建一个8位SoC设计验证平台,该平台可重用IP模块的激励文件,并利用现有的EDA工具对不同设计阶段进行软硬件协同仿真,大大减轻系统验证的工作量.     

基于改进多路径匹配追踪的芯片超声信号去噪方法

针对高频超声检测倒装焊芯片微缺陷的回波信号受噪声影响的问题,提出了一种基于改进多路径匹配追踪算法(MMP)的高频超声信号稀疏去噪方法。利用MMP算法获取全局最优的原子,针对MMP计算量过大的问题,在迭代过程中设置阈值和引入剪枝操作,筛选误差较大的路径,减少迭代路径,降低算法复杂度。为了避免字典维度上升导致的计算量过大,通过构建连续原子库对重构信号参数进行调整,最终实现芯片超声检测信号噪声的抑制。通过仿真和实验证明,提出的方法能够有效的去除倒装芯片高频超声检测信号中的噪音,与其他去噪算法相比,所提方法通过增加少量的计算,实现信号重构精度的提高,提升了B扫图的清晰度。